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| 无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法 专利
专利号: CN201410763616.4, 申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2015-03-25
作者: 史敬元 ; 彭松昂; 金智; 张大勇; 王选芸
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210135041.2, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2013-10-30
作者: 陈大鹏; 李俊峰; 钟汇才; 赵超; 邓坚
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| 高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件 专利
专利号: CN201110257880.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-03-13
作者: 王玉光; 殷华湘; 董立军; 陈大鹏
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| N型高效太阳能电池中一种制备p+型掺杂层与n+前表面场的方法 专利
专利号: CN201210323522.6, 申请日期: 2016-01-20, 公开日期: 2012-12-12
作者: 贾锐; 张巍; 陈晨; 张代生; 金智
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| 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法 专利
专利号: CN201110131693.4, 申请日期: 2015-02-04, 公开日期: 2012-11-21
作者: 刘琦; 谢常青; 王艳; 李颖弢; 吕杭炳
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| 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利
专利号: CN103545191A, 申请日期: 2014-01-29,
作者: 殷华湘; 杨红; 马雪丽; 王文武; 韩锴
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| 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利
专利号: CN103545190A, 申请日期: 2014-01-29,
作者: 殷华湘; 杨红; 马雪丽; 王文武; 韩锴
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/06/13 |
| 半导体器件制造方法 专利
申请日期: 2012-09-19,
作者: 殷华湘; 秦长亮; 尹海洲
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| 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 专利
申请日期: 2011-09-16,
作者: 朱慧珑; 梁擎擎; 骆志炯; 尹海洲
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法 专利
申请日期: 2011-05-18,
作者: 王鹤飞; 骆志炯; 刘佳
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/06/30 |
