N型高效太阳能电池中一种制备p+型掺杂层与n+前表面场的方法

	N型高效太阳能电池中一种制备p+型掺杂层与n+前表面场的方法
	贾锐; 张巍; 陈晨; 张代生; 金智; 刘新宇
	2016-01-20
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210323522.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场的制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括在n型晶硅衬底上沉积掺硼非晶硅层，形成第I中间产物；在所述第I中间产物的非晶硅层上沉积氮化硅保护层，形成第II中间产物；在所述第II中间产物的n型晶硅衬底前表面形成n+层，即前表面场形成第III中间产物；对所述第III中间产物进行高温退火，使n型晶硅衬底上形成p+发射结，形成第Ⅳ中间产物；将所述第Ⅳ中间产物氮化硅保护层和所述掺硼非晶硅除去，得到n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场。该方法成本低，并且p+型掺杂的均匀性较好。
公开日期	2012-12-12
申请日期	2012-09-04
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16435]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	贾锐,张巍,陈晨,等. N型高效太阳能电池中一种制备p+型掺杂层与n+前表面场的方法. CN201210323522.6. 2016-01-20.