半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	陈大鹏; 李俊峰; 钟汇才; 赵超; 邓坚; 罗军
	2016-09-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210135041.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；在栅极堆叠结构以及源漏区上形成栅极保护层；执行离子注入，在源漏区表面形成一层非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶区上淀积金属层；执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过离子注入在源漏区中形成非晶硅区，限制了金属扩散方向，抑制了金属硅化物的横向延伸，进一步提高了器件的性能。
公开日期	2013-10-30
申请日期	2012-04-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16711]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈大鹏,李俊峰,钟汇才,等. 半导体器件制造方法. CN201210135041.2. 2016-09-21.