| 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法 | |
| 王鹤飞; 骆志炯; 刘佳 | |
| 2011-05-18 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开了一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上形成保护层；去除位于所述衬底表面以上的填充层，以使得所述填充层仅保留在所述沟槽中；去除所述保护层。由于是通过淀积的方法，衬底和填充层的材料都不受限制，可以根据器件性能需求任意配置，具有通用性。此外，在保护层的掩盖下，沟槽内的填充层不会受到中间刻蚀工艺的损伤，保证了填充层的质量。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16752]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王鹤飞,骆志炯,刘佳. 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法. 2011-05-18. |
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