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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 有源芯片封装基板及制备该基板的方法 专利 申请日期: 2011-11-29, 公开日期: 2012-11-20 作者:  张霞;  于中尧 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/11/20 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 4，1898-1901 作者:  金智;  程伟;  刘新宇;  徐安怀;  齐鸣 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/27 Inp  异质结构双极晶体管  平坦化  高频   162GHz自对准InP／InGaAs异质结双极型晶体管 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1732-1736 作者:  徐安怀;  于进勇;  刘新宇;  严北平;  苏树兵 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 磷化铟  异质结双极型晶体管  自对准   合金温度对薄基区InGaP／GaAs残余电压和欧姆接触的影响 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 765-768 作者:  刘训春;  杨威;  朱旻;  王润梅;  申华军 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 异质结双极型晶体管  U形发射极  合金  残余电压   减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 991-994 作者:  罗明雄;  汪宁;  袁志鹏;  刘训春;  孙海峰 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 自对准工艺  减小发射极宽度  提高ingap／gaas  Hbt的性能