减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能

	减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能
	罗明雄; 汪宁; 袁志鹏; 刘训春; 孙海峰; 石瑞英
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:8 页码:991-994
关键词	自对准工艺减小发射极宽度提高ingap／gaas Hbt的性能
ISSN号	0253-4177
产权排序	2
英文摘要	在发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAs HBT工艺的基础上，研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺，用简单方法制备出了发射极宽度为2pm的InGaP／GaAs HBT．发射极面积为2μm×15μm时器件的截止频率高达81GHz，且集电极电流密度为7×10^A／cm^2时仍没有出现明显的自热效应．它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAsHBT的有了显著提高，并对器件性能提高的原因进行了分析．
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/992]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	罗明雄,汪宁,袁志鹏,等. 减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能[J]. 半导体学报,2004,25(8):991-994.
APA	罗明雄,汪宁,袁志鹏,刘训春,孙海峰,&石瑞英.(2004).减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能.半导体学报,25(8),991-994.
MLA	罗明雄,et al."减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能".半导体学报 25.8(2004):991-994.