减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能 | |
罗明雄; 汪宁; 袁志鹏; 刘训春; 孙海峰; 石瑞英 | |
刊名 | 半导体学报
![]() |
2004 | |
卷号 | 25期号:8页码:991-994 |
关键词 | 自对准工艺 减小发射极宽度 提高ingap/gaas Hbt的性能 |
ISSN号 | 0253-4177 |
产权排序 | 2 |
英文摘要 | 在发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT工艺的基础上,研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺,用简单方法制备出了发射极宽度为2pm的InGaP/GaAs HBT.发射极面积为2μm×15μm时器件的截止频率高达81GHz,且集电极电流密度为7×10^A/cm^2时仍没有出现明显的自热效应.它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAsHBT的有了显著提高,并对器件性能提高的原因进行了分析. |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/992] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗明雄,汪宁,袁志鹏,等. 减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能[J]. 半导体学报,2004,25(8):991-994. |
APA | 罗明雄,汪宁,袁志鹏,刘训春,孙海峰,&石瑞英.(2004).减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能.半导体学报,25(8),991-994. |
MLA | 罗明雄,et al."减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能".半导体学报 25.8(2004):991-994. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论