162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管 | |
徐安怀; 于进勇; 刘新宇![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2006 | |
卷号 | 27期号:10页码:1732-1736 |
关键词 | 磷化铟 异质结双极型晶体管 自对准 |
ISSN号 | 0253-4177 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InPHBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1348] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐安怀,于进勇,刘新宇,等. 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管[J]. 半导体学报,2006,27(10):1732-1736. |
APA | 徐安怀.,于进勇.,刘新宇.,严北平.,苏树兵.,...&齐鸣.(2006).162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管.半导体学报,27(10),1732-1736. |
MLA | 徐安怀,et al."162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管".半导体学报 27.10(2006):1732-1736. |
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