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北京大学 [9]
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期刊论文 [9]
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2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2002 [1]
2001 [2]
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2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战
期刊论文
科学(上海), 2016
彭练矛
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提交时间:2017/12/03
电子学
碳纳米管电子学
纳米电子学
国际半导体技术路线图
碳基集成电路
CMOS技术
碳纳米管场效应晶体管:现状和未来
期刊论文
中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2016
刘力俊
;
张志勇
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
碳纳米管
场效应晶体管
纳米电子
Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007
王兵冰
;
汪洋
;
黄如
;
张兴
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提交时间:2015/11/11
Halo 热载流子效应 短沟效应 漏感应势垒降低效应 N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006
赵要
;
许铭真
;
谭长华
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提交时间:2015/10/23
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
可靠性
热载流子效应
衬底正向偏置
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制
期刊论文
物理学报, 2005
王彦刚
;
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层
soft breakdown
gate current
Fowler
Nordheim-like tunneling
ultra-thin gate oxide
超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流
期刊论文
半导体学报, 2002
张贺秋
;
毛凌锋
;
许铭真
;
谭长华
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/10/23
隧穿电流
高场应力
超薄
应变诱导漏电流
tunneling current
high-field stress
ultrathin
SILC
亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性
期刊论文
半导体学报, 2001
朱晖文
;
刘晓彦
;
沈超
;
康晋锋
;
韩汝琦
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/10/23
高K材料
栅介质
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响
期刊论文
半导体学报, 2001
毛凌锋
;
谭长华
;
许铭真
;
卫建林
;
穆甫臣
;
张贺秋
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提交时间:2015/11/11
粗糙度
直接隧穿
场效应晶体管
MOSFET开态热载流子效应可靠性
期刊论文
半导体杂志, 2000
穆甫臣
;
薛静
;
许铭真
;
谭长华
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
可靠性
热载流子效应
金属氧化物半导体场效应晶体管
寿命预测模型
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