亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.003

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性; Characterization of Sub-100nm MOSFETs with High K Gate Dielectric
	朱晖文 ; 刘晓彦 ; 沈超 ; 康晋锋 ; 韩汝琦
刊名	半导体学报
	2001
关键词	高K材料栅介质金属-氧化物-半导体场效应晶体管
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.003
英文摘要	用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能退化.这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制.; The short-channel performance of typical 70nm MOSFETs with high K gate dielectric is widely studied by using a two dimensional(2-D) device simulator.The short-channel performance is degraded from the fringing field and lower the source/drain junction resistance.The sidewall material is found very useful to eliminate the fringing-induced berrier lowing effect.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 9; 1107-1111; 22
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23377]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	朱晖文,刘晓彦,沈超,等. 亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性, Characterization of Sub-100nm MOSFETs with High K Gate Dielectric[J]. 半导体学报,2001.
APA	朱晖文,刘晓彦,沈超,康晋锋,&韩汝琦.(2001).亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性.半导体学报.
MLA	朱晖文,et al."亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性".半导体学报 (2001).