亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性; Characterization of Sub-100nm MOSFETs with High K Gate Dielectric | |
朱晖文 ; 刘晓彦 ; 沈超 ; 康晋锋 ; 韩汝琦 | |
刊名 | 半导体学报
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2001 | |
关键词 | 高K材料 栅介质 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 |
DOI | 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.003 |
英文摘要 | 用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能退化.这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制.; The short-channel performance of typical 70nm MOSFETs with high K gate dielectric is widely studied by using a two dimensional(2-D) device simulator.The short-channel performance is degraded from the fringing field and lower the source/drain junction resistance.The sidewall material is found very useful to eliminate the fringing-induced berrier lowing effect.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 9; 1107-1111; 22 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23377] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱晖文,刘晓彦,沈超,等. 亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性, Characterization of Sub-100nm MOSFETs with High K Gate Dielectric[J]. 半导体学报,2001. |
APA | 朱晖文,刘晓彦,沈超,康晋锋,&韩汝琦.(2001).亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性.半导体学报. |
MLA | 朱晖文,et al."亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性".半导体学报 (2001). |
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