2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战 | |
彭练矛 | |
刊名 | 科学(上海)
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2016 | |
关键词 | 电子学 碳纳米管电子学 纳米电子学 国际半导体技术路线图 碳基集成电路 CMOS技术 |
DOI | 10.3969/j.issn.0368-6396.2016.02.003 |
英文摘要 | 硅基CMOS技术将在2020年达到其性能极限.国际半导体技术路线图委员会推荐碳基纳电子学(包括碳纳米管和石墨烯)作为可能在未来5~ 10年显现商业价值的下一代电子技术.本文将对碳纳米管电子学的优势进行简要的介绍,并着重对碳纳米管电子学所面临的主要挑战及解决途径进行论述.集成电路芯片是现代信息技术的基石.现代电子芯片组成器件中约90%源于硅基互补金属一氧化物一半导体(complementary metal oxide semicon-ductor,CMOS)器件.经过半个世纪的快速发展,硅基CMOS技术已经走到了14纳米技术节点,即将进入10纳米节点,并将在2020年达到其性能极限.硅基CMOS技术的局限硅基CMOS技术的核心是高性能电子型和空穴型场效应晶体管(field effect transistor,FET)的制备,以及这两种互补场效应晶体管的集成.; 2; 11-15; 68 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/442621] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭练矛. 2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战[J]. 科学(上海),2016. |
APA | 彭练矛.(2016).2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战.科学(上海). |
MLA | 彭练矛."2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战".科学(上海) (2016). |
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