QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁及其在中远红外光发射/探测器中的应用研究 学位论文 2008, 2008 林桂江 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/02/14 Si/SiGe材料  空穴子带跃迁  量子级联激光器  量子阱红外探测器  Si/SiGe materials  hole intersubband transition  mid-/far- infrared   硅基超晶格Ⅵ(A)/Si_6/SiO_2/Si_6/Ⅵ(A)的电子结构 期刊论文 2007 陈捷; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/06/16 超晶格  硅基材料  能带结构  superlattice  Si-based material  electronic band structures   硅基光电子材料和稀磁材料的计算设计 学位论文 2007, 2007 陈捷 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/02/14 第一性原理计算  硅基材料  稀磁半导体  ab initio calculation  Si-based materials  diluted magnetic semiconductors   硅基半导体光电子材料的第一性原理设计 期刊论文 2005 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/04/26 硅基材料  直接带隙  对称性  材料设计  Si-based materials  direct band-gap  symmetry  materials design   直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计 期刊论文 2003 张建立; 黄美纯; 李惠萍; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/04/26 Si基光电材料  Si/Ⅵ超晶格  能带结构  理论计算  Si-based optoelectronic materials  superlattice  electronic structures   直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计 期刊论文 2003 张建立; 黄美纯; 李惠萍; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/06/16 Si基光电材料  Si/Ⅵ超晶格  能带结构  理论计算  Si-based optoelectronic materials  superlattice  electronic structures   新型硅基光电子材料的研究 学位论文 2003, 2003 张建立 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/02/14 光电集成  直接带隙  能带计算  OEIC  Direct Band-gap  Theory calculation   直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计 期刊论文 2003 张建立; 黄美纯; 李惠萍; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/04/26 Si基光电材料  Si/Ⅵ超晶格  能带结构  理论计算  Si-based optoelectronic materials  superlattice  electronic structures   Si基光发射材料的探索 期刊论文 2002 黄美纯; 张建立; 李惠萍; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/04/26 Si基光发射材料  超晶格  直接带隙光发射  Si based light emitting material  superlattice  direct bandgap light emission   Si基光发射材料的探索 期刊论文 2002 黄美纯; 张建立; 李惠萍; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/06/16 Si基光发射材料  超晶格  直接带隙光发射  Si based light emitting material  superlattice  direct bandgap light emission