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	硅基超晶格Ⅵ(A)/Si_6/SiO_2/Si_6/Ⅵ(A)的电子结构; Electronic Structure of Si-based Superlattice Ⅵ(A)/Si_6/SiO_2/Si_6/Ⅵ(A)
	陈捷 ; 黄美纯
	2007-03
关键词	超晶格 硅基材料 能带结构 superlattice Si-based material electronic band structures
英文摘要	【中文摘要】 硅的有效光发射是硅基光电器件研究的一个关键问题,因此一直受到广泛的关注.本文采用第一性原理对新的硅基材料Ⅵ(A)/Sim/SiO2/Sim/Ⅵ(A)(m=6,Ⅵ(A)=O,Se)的能带结构、态密度和电荷密度等进行了计算研究.通过改变掺入Ⅵ(A)族原子氧和硒的对比,分析了SiO2层、不同的Ⅵ(A)族原子以及它们与最近邻Si原子的相互作用对硅基材料电子性质的影响.研究表明,在局域密度近似(LDA)下,O/Si6/SiO2/Si6/O结构在X点存在准直接带隙的特征,而Se/Si6/SiO2/Si6/Se在Γ点存在很小的直接带隙. 【英文摘要】 There is much interest in the Si-based efficient light emission material for its indispensability to the development of modern optoelectronics.In this paper,the band structures,density of states and charge density contours of Si-based superlattices Ⅵ(A)/Si6/SiO2/Si6/Ⅵ(A)(VI(A)=O,Se) had been investigated with the first-principles calculations.The effect of SiO2,Ⅵ(A) atoms and the nearest Si atoms on the superlattice were also discussed.The present calculations,within the local density approximation(LDA),rev...; 国家自然科学基金(10274946,60336010)资助
语种	中文
出版者	《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9555]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈捷,黄美纯. 硅基超晶格Ⅵ(A)/Si_6/SiO_2/Si_6/Ⅵ(A)的电子结构, Electronic Structure of Si-based Superlattice Ⅵ(A)/Si_6/SiO_2/Si_6/Ⅵ(A)[J],2007.
APA	陈捷,&黄美纯.(2007).硅基超晶格Ⅵ(A)/Si_6/SiO_2/Si_6/Ⅵ(A)的电子结构..
MLA	陈捷,et al."硅基超晶格Ⅵ(A)/Si_6/SiO_2/Si_6/Ⅵ(A)的电子结构".(2007).

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