| 题名 | Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁及其在中远红外光发射/探测器中的应用研究; Study of Hole Intersubband Transition in Si/SiGe Quantum Well and its Application in Mid-/Far- Infrared Light Emitter and Detector |
| 作者 | 林桂江 |
| 答辩日期 | 2008 ; 2008 |
| 导师 | 余金中 |
| 关键词 | Si/SiGe材料 空穴子带跃迁 量子级联激光器 量子阱红外探测器 Si/SiGe materials hole intersubband transition mid-/far- infrared |
| 英文摘要 | Si微电子技术已取得巨大成功，然而由于体材料Si的间接带隙特性，发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低五个量级，如何在硅基材料系实现高效率发光，已成为发展硅基光电子学的一个重要课题，突破Si间接带隙限制的一条有希望的道路，是利用能带工程，使用Si/SiGe量子阱中的子带跃迁代替体材料中的带间跃迁。近年来，基于子带跃迁机理的硅基高效中远红外光电器件成为国内外学术界和产业界的一个研究热点。由于硅基光电子技术重大的产业背景，硅基高效中远红外光电子器件将具有更广泛的应用前景，对我国科技、工业和国防的发展具有重要的意义。本论文就是在这种背景下开展基于价带空穴子带跃迁、Si/SiGe量子级联激光器和S...; People have won tremendous successes in silicon microelectronic technique, but, bulk silicon, with a indirect bandgap has a five order of magnitude lower light emission efficiency than direct bandgap materials such as GaAs. So, how to realize high light emission efficiency of silicon-based materials is one of the important topics concerning the development of silicon-based optoelectronics. Energy ...; 学位：理学博士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：20051403027 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=18321 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54914]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林桂江. Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁及其在中远红外光发射/探测器中的应用研究, Study of Hole Intersubband Transition in Si/SiGe Quantum Well and its Application in Mid-/Far- Infrared Light Emitter and Detector[D]. 2008, 2008. |
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