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	直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计; A Design of Direct Band Gap Si-based Superlattice Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))
	张建立 ; 黄美纯 ; 李惠萍 ; 朱梓忠
	2003
关键词	Si基光电材料 Si/Ⅵ超晶格 能带结构 理论计算 Si-based optoelectronic materials superlattice electronic structures
英文摘要	Si基光发射材料由于它具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si属于间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.如何设计具有直接带隙硅基材料,备受实验研究工作者和材料设计理论工作者的关注.本文介绍一种新的硅基超晶格Ⅵ(A)/Sim/Ⅵ(B)/Sim/Ⅵ(A)的能带结构计算.在密度泛函理论框架内,采用混合基从头算赝势法模拟计算表明,其中Se/Si6/O/Si6/Se及Se/Si6/S/Si6/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征,其带隙处于红外波段.预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能,其制作也可较方便地与硅微电子工艺兼容.预计该材料在信息光电子领域将有强大的应用潜力.; 国家自然科学基金(10274064,60077029)资助
语种	中文
出版者	厦门大学学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/7630]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张建立,黄美纯,李惠萍,等. 直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计, A Design of Direct Band Gap Si-based Superlattice Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))[J],2003.
APA	张建立,黄美纯,李惠萍,&朱梓忠.(2003).直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计..
MLA	张建立,et al."直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计".(2003).

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