CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共258条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/29
宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13
Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an
收藏  |  浏览/下载：131/0  |  提交时间：2020/12/16
Research on activation mechanism of AlGaN photocathodes in an ultra-high vacuum system 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2020, 卷号: 118, 页码: 5
作者:  G. H. Tang,F. Yan and X. L. Chen
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06
Damage to epitaxial GaN layer on Al2O3 by 290-MeV U-238(32+) ions irradiation 期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 页码: 4121
作者:  
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/05/31
Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018
作者:  Ajima, Yoshiaki;  Nakamura, Yuki;  Murakami, Kenta;  Teramoto, Hideo;  Jomen, Ryota
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/27
Opposite change trend of electrical behavior curves near the threshold between GaAs- and GaN-multi-quantum-well laser diodes 期刊论文
Applied Physics B, 2018, 卷号: Vol.124 No.3
作者:  Liefeng Feng;  Shupeng Wang;  Yang Li;  Xiufang Yang;  Ding Li
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/21
Effects of Strain in Low-Dimensional Semiconductor Structures 期刊论文
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 9, 页码: 1066-1082
作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Liu, Y.;  Cheng, S. Y.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/21
GaAs  Quantum Wells  Nanowires  ZnO  Si  InGaN  Strain  Ge  GaN  InN  InGaAs  Quantum Dots  
Saturability Algorithm of a Sub-Bandgap Laser for Triggering a Photoconductive Switch 期刊论文
2017, 卷号: 5, 页码: 395-399
作者:  Wang, Xinmei;  Mazumder, Sudip K.;  Shi, Wei
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20
Raman investigation of lattice defects and stress induced in InP and GaN films by swift heavy ion irradiation 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 372, 页码: 29-37
作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J.
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/05/31

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace