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A boron and gallium co-doped ZnO intermediate layer for ZnO/Si heterojunction diodes
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 428, 页码: 61-65
作者:
Lu, Yuanxi[1]
;
Huang, Jian[2]
;
Li, Bing[3]
;
Tang, Ke[4]
;
Ma, Yuncheng[5]
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提交时间:2019/04/24
ZnO
Heterojunction
Magnetron sputtering
UV
A boron and gallium co-doped ZnO intermediate layer for ZnO/Si heterojunction diodes
期刊论文
Applied Surface Science, 2017, 卷号: 428, 页码: 61-65
作者:
Lu, Yuanxi
;
Huang, Jian*
;
Li, Bing
;
Tang, Ke*
;
Ma, Yuncheng
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/04
ZnO
Heterojunction
Magnetron sputtering
UV
Substrate temperature and thickness dependence of properties of boron and gallium co-doped ZnO films
期刊论文
SURFACE ENGINEERING, 2017, 卷号: 33, 页码: 270-275
作者:
Yang, J.[1]
;
Huang, J.[2]
;
Lu, Y.X.[3]
;
Ji, H.H.[4]
;
Zhang, L.[5]
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提交时间:2019/04/24
Boron and gallium co-doped ZnO
Magnetron sputtering
Substrate temperature
Thickness
Effect of RF power and substrate temperature on the properties of boron and gallium co-doped ZnO films
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2016, 卷号: 53, 页码: 84-88
作者:
Yang, Jin[1]
;
Huang, Jian[2]
;
Ji, Huanhuan[3]
;
Tang, Ke[4]
;
Zhang, Lei[5]
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提交时间:2019/04/26
Boron and gallium co-doped Zno
Magnetron sputtering
RF power
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