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气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器 期刊论文
半导体技术, 2010, 期号: 09
杨海东; 李世国; 陈朋; 高山; 徐承福; 龚谦
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亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文
物理学报, 2009, 期号: 03
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 龚谦
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06
InAsP/InGaAsP quantum-well 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 105-106
Lao, YF; Cao, CF; Wu, HZ; Cao, M; Gong, Q
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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: S1
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06
键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文
半导体学报, 2008, 期号: 11
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生; 龚谦
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06
带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 01
艾立鹍; 徐安怀; 孙浩; 朱福英; 齐鸣
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长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺 期刊论文
半导体光电, 2007, 期号: 05
刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢
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干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究 期刊论文
物理学报, 2007, 期号: 02
曹萌; 吴惠桢; 刘成; 劳燕锋; 黄占超; 谢正生; 张军; 江山
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离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理 期刊论文
功能材料信息, 2006, 期号: 03
吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 刘成; 谢正生; 曹春芳
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/01/06
气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构 期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 期号: 02
刘成; 吴惠桢; 劳燕锋; 黄占超; 曹萌
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