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| 一种并联式激光器驱动电路 专利
专利号: CN207753293U, 申请日期: 2018-08-21, 公开日期: 2018-08-21
作者: 古小枫; 杨俊; 胡攀攀
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| 一种还原石墨烯电极MoS2场效应晶体管的制备方法 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-03-06
作者: 王权[1]; 曾元明[2]; 董金耀[3]; 王江祥[4]; 韦国成[5]
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| 半导体器件及其形成方法、封装结构 专利
专利号: CN201110112565.5, 申请日期: 2016-09-14, 公开日期: 2012-11-07
作者: 梁擎擎 ; 闫江; 赵超; 钟汇才
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| 一种MOS场效应晶体管 专利
专利号: CN201010102696.0, 申请日期: 2014-03-05, 公开日期: 2011-08-03
作者: 梁擎擎; 陈大鹏
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| 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法 专利
申请日期: 2011-11-28, 公开日期: 2012-11-20
作者: 常虎东; 薛百清; 孙兵; 王盛凯; 卢力
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| 一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102184879A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
柴展; 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 王曦
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| 半导体器件及其形成方法 专利
申请日期: 2011-03-31,
作者: 骆志炯; 朱慧珑; 尹海洲
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| 多通道TRAIL受体检测系统及其检测方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-12-24, 公开日期: 2006, 2010-12-24
张 虹; 巩祥鹏; 韩泾鸿; 黄俊琪
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| MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法 专利
申请日期: 1987-05-06, 公开日期: 1987-05-06
作者: 苗庆海; 刘可辛
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| 绝缘栅控横向场发射晶体管及其驱动方法 专利
专利号: CN201110181695.4, 公开日期: 2013-01-02
作者: 殷华湘; 陈大鹏; 董立军
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