一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法 | |
柴展 ; 陈静 ; 罗杰馨 ; 伍青青 ; 王曦 | |
2011-09-14 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN102184879A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明公开了一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法,通过建立TCAD工艺仿真程序得到不同沟道长度Lgate的工艺仿真MOS器件结构,在此基础上,根据实际器件的透射电镜TEM测试结果、二次离子质谱SIMS测试结果、CV测试结果、WAT测试结果及方块电阻测试结果对工艺仿真MOS器件结构进行校准,从而完成SOI场效应晶体管关键电学参数的TCAD仿真校准。本发明的校准方法可以使同一SOI工艺下各尺寸MOSFET关键参数Vt和Idsat的TCAD仿真结果均达到误差小于10%的高精度要求,并且能在多个Split |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2011-09-14 |
申请日期 | 2011-05-03 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 201110112178.1 |
专利代理 | 李仪萍 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48575] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴展,陈静,罗杰馨,等. 一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法. CN102184879A. 2011-09-14. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论