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| 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN104752952B, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2018-05-08
作者: 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华
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| 双金属波导结构的太赫兹量子级联激光器制备方法及激光器 专利
专利号: CN107528214A, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
作者: 祁昶; 石新智; 叶双莉; 艾勇
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| 一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN104752953A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
作者: 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华
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| 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 专利
专利号: CN200710178321.0, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-06-03
作者: 徐静波 ; 张海英; 叶甜春
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| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12, 2010-10-15
占 荣; 惠 峰; 赵有文
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| 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 专利
专利号: CN200710178311.7, 申请日期: 2010-02-17, 公开日期: 2009-06-03
作者: 徐静波; 张海英; 叶甜春
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| 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 专利
专利号: CN200710063375.2, 申请日期: 2009-12-16, 公开日期: 2008-07-16
作者: 叶甜春; 尹军舰; 徐静波; 张海英
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| 实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料 专利
专利号: CN200710063372.9, 公开日期: 2008-07-16
作者: 张海英; 尹军舰; 徐静波; 叶甜春
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| 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 专利
专利号: CN200710177794.9, 公开日期: 2009-05-27
作者: 张海英; 徐静波; 叶甜春
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