本发明公开了一种单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管材料 结构，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开；所 述GaAs基MHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层 GaAs、应变缓冲层In_xAl_1-xAs、沟道下势垒层In_0.52Al_0.48As、沟道层 In_0.53Ga_0.47As、空间隔离层In_0.52Al_0.48As、平面掺杂层、势垒层 In_0.52Al_0.48As和N型高掺杂盖帽层In_0.53Ga_0.47As构成；所述N型高掺杂 腐蚀截止层InP在所述N型高掺杂盖帽层In_0.53Ga_0.47As上分子束外延 生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层InP上依次分 子束外延生长的N型掺杂层In_0.53Ga_0.47As、不掺杂层In_0.53Ga_0.47As和P 型掺杂层In_0.53Ga_0.47As构成。本发明将GaAs基MHEMT和PIN二极 管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极 管。