本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种高速砷化镓基复 合沟道MHEMT材料，该MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的 晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层掺杂InP、沟 道层不掺杂InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺 杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。利用本发 明，结合了In0.53Ga0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量 以及高饱和速率的特性，解决了常规MHEMT器件源漏击穿电压低的缺 点，达到了既提高源漏击穿电压，又保证器件具有优越的毫米波频率特性 的目的。