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一种金属硅化物的形成方法 专利
专利号: US10096691, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2016-09-15
作者:  张青竹;  赵利川;  杨雄坤;  殷华湘;  闫江
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双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US9384986, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2013-10-31
作者:  殷华湘;  付作振;  徐秋霞;  陈大鹏
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/06/13
半导体器件的制造方法 专利
专利号: US8642433, 申请日期: 2014-02-04, 公开日期: 2013-02-21
作者:  赵超;  钟汇才;  罗军;  梁擎擎
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Single-waveguide integrated wavelength demux photodetector and method of making it 专利
专利号: US6731850, 申请日期: 2004-05-04, 公开日期: 2004-05-04
作者:  SARGENT, EDWARD H.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser with disordered and non-disordered quantum well regions 专利
专利号: US6594295, 申请日期: 2003-07-15, 公开日期: 2003-07-15
作者:  SARGENT, EDWARD H.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26
Tapered air apertures for thermally robust vertical cavity laser structures 专利
专利号: US20020067748A1, 申请日期: 2002-06-06, 公开日期: 2002-06-06
作者:  COLDREN, LARRY A.;  NAONE, RYAN L.
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Buried heterostructure vertical-cavity surface-emitting laser diodes using impurity induced layer disordering (IILD) via a buried impurity source 专利
专利号: US6238944, 申请日期: 2001-05-29, 公开日期: 2001-05-29
作者:  FLOYD, PHILIP D.
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
A semiconductor material comprising two dopants 专利
专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
作者:  ALISTAIR, HENDERSON, KEAN;  HARUHISA, TAKIGUCHI
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Semiconductor laser including disordered window regions 专利
专利号: US5764669, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
作者:  NAGAI, YUTAKA
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2751356B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者:  井手 雄一
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