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| 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15,
作者: 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 孙静; 余学峰
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| 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09
作者: 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 孙静; 余学峰
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/08/06 |
| 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利
专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11
作者: 汤益丹; 白云; 申华军; 霍瑞彬; 刘新宇
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| 一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 霍瑞彬; 白云; 申华军
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| 一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
刘畅, 李世胜, 侯鹏翔 and 成会明
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| 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法 专利
申请日期: 2011-11-28, 公开日期: 2012-11-20
作者: 常虎东; 薛百清; 孙兵; 王盛凯; 卢力
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| 石墨烯基场效应晶体管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102184849A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
程新红; 张有为; 徐大伟; 王中建; 夏超; 何大伟; 俞跃辉
收藏 | 浏览/下载：48/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 专利
申请日期: 2011-08-03,
作者: 徐秋霞; 李永亮; 许高博
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 专利
申请日期: 2011-04-12,
作者: 胡爱斌; 许高博; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法 专利
申请日期: 2009-12-24,
作者: 宋毅; 周华杰; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/09/30 |
