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| 调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法 专利
专利号: CN105932543B, 申请日期: 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17
作者: 吴瑞华
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| 一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 专利
专利号: CN104319631B, 申请日期: 2017-04-26, 公开日期: 2017-04-26
作者: 贾传宇; 张国义; 童玉珍
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| 一种含磷酸铝粘结剂的分子筛催化剂的制备方法和应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201310365249.8, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2015-03-18
作者: 徐龙伢; 刘惠; 辛文杰; 刘盛林; 谢素娟
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| 纳米聚硅酸铝铁-接枝改性淀粉杂化絮凝剂的制备方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2018
作者: 钟传蓉; 苗娟; 黄晶晶
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| 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN 101736400 B, 申请日期: 2012-02-29, 公开日期: 2012-09-25
作者: 任国强 ; 张锦平; 曾雄辉; 王建峰; 徐科
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| 一种非极性GaN薄膜的生长方法 专利
专利号: CN101364631B, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
作者: 周健华; 郝茂盛; 颜建锋; 潘尧波; 周圣明
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| 一种硅铝双介孔分子筛及其合成方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 1160250, 申请日期: 2004-01-01, 公开日期: 2011-03-26, 2011-06-09
孙予罕; 房克功; 任杰; 胡津仙; 王锋; 董林; 李晓波
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| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
作者: 张书明
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