| 调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法 | |
| 吴瑞华 | |
| 2019-05-17 | |
| 著作权人 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 专利号 | CN105932543B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法，本发明将金属有机物化学气相沉积反应室内的气压设置为预定气压，并将反应气体和MO源通入金属有机物化学气相沉积反应室，在预定温度下反应气体和MO源发生反应生成调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层，其中，反应气体为磷烷以及砷烷；MO源为三甲基铝、三甲基铟、三甲基镓、三乙基镓、P型掺杂源二甲基锌或P型掺杂源二乙基锌。利用本发明的方法生成的调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层是一种高线性度AlGaInAs量子阱外延，其压应变增大，从而能降低俄歇复合，带间吸收，可以达到改善器件高温特性的作用以及有源区量子阱的外量子效率、内量子效率和转换效率、提高张弛振荡频率。 |
| 公开日期 | 2019-05-17 |
| 申请日期 | 2016-04-21 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49392]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴瑞华. 调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法. CN105932543B. 2019-05-17. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论