一种生长AlInN单晶外延膜的方法

	一种生长AlInN单晶外延膜的方法; 一种生长AlInN单晶外延膜的方法
	张书明
专利国别	中国
专利号	CN200810225783.8
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。
公开日期	2011-08-30
语种	中文
专利申请号	CN200810225783.8
专利代理	周国城
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22081]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	张书明. 一种生长AlInN单晶外延膜的方法, 一种生长AlInN单晶外延膜的方法. CN200810225783.8.