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| 一种VCSEL芯片制备方法 专利
专利号: CN110190514A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊
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| 氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件 专利
专利号: CN110036144A, 申请日期: 2019-07-19, 公开日期: 2019-07-19
作者: 藤原康文; 朱婉新; 小泉淳; 布兰登·米切尔; 汤姆·格雷戈尔凯维奇
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| 半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109962406A, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
作者: 张韵; 倪茹雪
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| 半导体晶片 专利
专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
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| 半导体晶片 专利
专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
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| 氮化铝自支撑衬底及其制备方法 专利
专利号: CN109728138A, 申请日期: 2019-05-07, 公开日期: 2019-05-07
作者: 何晨光; 陈志涛; 赵维; 吴华龙; 贺龙飞
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| Yb：YAG固体激光器自混合干涉纳米粒度传感器 专利
专利号: CN109444004A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 寇科; 王错; 连天虹; 张冠蕾
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| 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 专利
专利号: CN108808446A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13
作者: 邵慧慧; 徐现刚; 开北超; 李沛旭; 郑兆河
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| 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利号: CN108735866A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
作者: 高芳亮; 李国强; 徐珍珠; 余粤锋
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| 一种高质量GaN薄膜及其制备方法 专利
专利号: CN108538977A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
作者: 贾伟; 樊腾; 李天保; 仝广运; 董海亮
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