| 半导体晶片 | |
| 陈辰; 宋杰; 崔周源 | |
| 2019-06-11 | |
| 著作权人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 专利号 | CN208970547U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 半导体晶片 |
| 英文摘要 | 本公开涉及一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。 |
| 公开日期 | 2019-06-11 |
| 申请日期 | 2018-12-04 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49406]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈辰,宋杰,崔周源. 半导体晶片. CN208970547U. 2019-06-11. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论