| 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 | |
| 高芳亮; 李国强; 徐珍珠; 余粤锋 | |
| 2018-11-02 | |
| 著作权人 | 华南理工大学 |
| 专利号 | CN108735866A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体器件的技术领域，公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。本发明还公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一、高有序性，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，改善InN纳米柱外延片的性能，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。 |
| 公开日期 | 2018-11-02 |
| 申请日期 | 2018-07-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57090]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高芳亮,李国强,徐珍珠,等. 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法. CN108735866A. 2018-11-02. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论