| 半导体激光器及其制备方法 | |
| 张韵; 倪茹雪 | |
| 2019-07-02 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN109962406A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本公开提供了一种半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器由下至上依次包括：沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层；其中，所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽，所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。本公开半导体激光器及其制备方法，通过长条状沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行，即使光子谐振方向与外延材料中低穿透位错区域平行，在振荡过程中，此区域的非辐射复合较低、增益较大，可以率先实现激射，降低激射阈值，从而有效提高了半导体激光器的光学效率和性能。 |
| 公开日期 | 2019-07-02 |
| 申请日期 | 2017-12-14 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55349]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张韵,倪茹雪. 半导体激光器及其制备方法. CN109962406A. 2019-07-02. |
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