QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26 于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2012/01/06 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101488475, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101320686, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2008-12-10 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/06 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1828913, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2006-09-06 孙佳胤; 陈静; 王曦 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/01/06 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1828837, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2006-09-06 雷本亮; 于广辉; 王笑龙; 齐鸣; 孟胜; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/01/06 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1395291, 申请日期: 2003-02-05, 公开日期: 2003-02-05 齐鸣; 李爱珍; 赵智彪 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2012/01/06