| 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料 | |
| 孙佳胤 ; 陈静 ; 王曦 | |
| 2006-09-06 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1828913 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的 材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结 构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘 埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘 埋层剩余部分的截面积S2小于硅岛面积S1/4，而大于S1/25；本发明的图形化衬 底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的 GaN晶体 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-09-06 |
| 申请日期 | 2006-01-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610023694.6 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48269]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙佳胤,陈静,王曦. 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料. CN1828913. 2006-09-06. |
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