| 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺 | |
| 齐鸣 ; 李爱珍 ; 赵智彪 | |
| 2003-02-05 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1395291 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及射频等离子体分子束外延生长GaN的双缓冲层工艺，属于晶体外延生长领域。其特征在于：(1)经Ga原子清洗及氮化处理的蓝宝石衬底温度降低至450℃～550℃范围；(2)开启Ga束源炉快门，进行较低温度的缓冲层结晶成核生长，时间2分钟，约10nm；(3)关闭Ga束源炉快门，衬底温度升高至900℃，进行高温热退火；热退火时间5分钟。然后将衬底温度降至650℃～800℃范围；(4)再次开启Ga束源炉快门，进行较高温度的缓冲层准二维生长，生长时间3分钟，约15nm；(5)关闭Ga束源炉快门，升高衬底温度以进 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2003-02-05 |
| 申请日期 | 2002-06-28 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 02112311.X |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47815]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐鸣,李爱珍,赵智彪. 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺. CN1395291. 2003-02-05. |
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