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一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102184879A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
柴展; 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 王曦
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一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176215A, 申请日期: 2011-09-07, 公开日期: 2011-09-07
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 柴展; 王曦
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体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102147828A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 柴展; 王曦
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用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102104048A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 宁冰旭; 薛忠营; 肖德元; 王曦
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一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102104063A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 周建华; 肖德元; 王曦
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基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102098028A, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15
黄晓橹; 伍青青; 魏星; 陈静; 张苗; 王曦
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一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102082144A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01
黄晓橹; 魏星; 程新红; 陈静; 张苗; 王曦
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一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101996999A, 申请日期: 2011-03-30, 公开日期: 2011-03-30
黄晓橹; 陈静; 张苗; 王曦
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防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101986435A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16
肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静
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BSIMSOI4直流模型参数的确定方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101976283A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 柴展; 王曦
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