一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 | |
陈静 ; 罗杰馨 ; 伍青青 ; 周建华 ; 肖德元 ; 王曦 | |
2011-06-22 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN102104063A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法,该双极晶体管包括SOI衬底,所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区,SOI衬底隐埋氧化层,顶层硅膜,所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区,有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区,集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层,基区靠近顶层硅膜表面;基区上形成有发射极和基极,发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术,不仅提高晶体管性能,而且可以减小有源区面积提高集成度;此外本发明采用侧氧隔离工艺,提高SOI? |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2011-06-22 |
申请日期 | 2009-12-17 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200910201332.5 |
专利代理 | 余明伟 ; 尹丽云 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49642] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,罗杰馨,伍青青,等. 一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法. CN102104063A. 2011-06-22. |
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