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采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130038A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
魏星; 曹共柏; 张峰; 王曦
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用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102104048A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 宁冰旭; 薛忠营; 肖德元; 王曦
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一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102064097A, 申请日期: 2011-05-18, 公开日期: 2011-05-18
王曦; 张苗; 薛忠营
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利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958271A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958270A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101914758A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
魏星; 王湘; 杨建; 张苗; 王曦; 林成鲁
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一种绝缘体上应变硅制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916741A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101901780A, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2010-12-01
魏星; 王湘; 杨建; 张苗; 王曦; 林成鲁
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一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101866874A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
张苗; 薛忠营; 张波; 魏星
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一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101866875A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
张苗; 薛忠营; 张波; 魏星
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