| 一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法 | |
| 魏星 ; 王湘 ; 杨建 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
| 2010-12-01 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101901780A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种绝缘体上锗硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明进一步提供了一种绝缘体上应变硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明的优点在于，采用了含有空洞层的初始衬底作为外延锗硅的支撑衬底，在随后的注氧制备SiGeOI和应变硅材料的过程中，该空洞层能够有效地促进注入的改性离子 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-01 |
| 申请日期 | 2010-06-25 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010211457.9 |
| 专利代理 | 翟羽 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49224]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,杨建,等. 一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法. CN101901780A. 2010-12-01. |
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