| 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 | |
| 张苗 ; 薛忠营 ; 张波 ; 魏星 | |
| 2010-10-20 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101866875A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey结构的多层材料，其中0＜x＜1，0＜y＜1，Si1-xGex为外延材料的上表面。控制外延的Si1-xGex和Si1-yGey薄膜的厚度，使其都小于临界厚度，以保证这两层薄膜都是完全应变的。然后使用层转移的方法将Si1-xGex/Si/Si1-yGey转移到一个SiO2/Si结构的支撑材料上，形成Si1-yGey/Si/Si1-xGex/SiO2/Si结构的多层材料。使用选择性腐蚀的方法去掉顶 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-10-20 |
| 申请日期 | 2010-06-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010189313.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49460]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,薛忠营,张波,等. 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法. CN101866875A. 2010-10-20. |
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