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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101986435A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16 肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/01/06 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101950723A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19 陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/01/06 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101924138A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22 肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101916726A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101916776A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101582485, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 2009-11-18 刘波; 宋志棠; 张挺; 封松林 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 斜拉悬梁支撑膜结构的微机械热电堆红外探测器阵列 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1333569, 申请日期: 2002-01-01, 公开日期: 2002-01-30 徐峥谊; 熊斌; 王跃林 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/10