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三端原子开关器件及其制备方法 专利
专利号: CN201410828155.4, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2015-03-25
作者:  刘明;  刘琦;  龙世兵;  吕杭炳
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一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法 专利
专利号: CN201410031166.X, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2014-05-14
作者:  韩郑生;  曾传滨;  毕津顺;  卜建辉;  李书振
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一种制作纳米级图形的方法 专利
专利号: CN200710177797.2, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2009-05-27
作者:  欧毅;  傅剑宇;  陈大鹏;  景玉鹏;  叶甜春
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基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法 专利
申请日期: 2011-06-22,
作者:  童小东;  梁擎擎
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