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科研机构
微电子研究所 [4]
内容类型
专利 [4]
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2017 [1]
2016 [1]
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内容类型:专利
专题:微电子研究所
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三端原子开关器件及其制备方法
专利
专利号: CN201410828155.4, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2015-03-25
作者:
刘明
;
刘琦
;
龙世兵
;
吕杭炳
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提交时间:2018/04/27
一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法
专利
专利号: CN201410031166.X, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2014-05-14
作者:
韩郑生
;
曾传滨
;
毕津顺
;
卜建辉
;
李书振
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提交时间:2017/06/01
一种制作纳米级图形的方法
专利
专利号: CN200710177797.2, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2009-05-27
作者:
欧毅
;
傅剑宇
;
陈大鹏
;
景玉鹏
;
叶甜春
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提交时间:2010/11/26
基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法
专利
申请日期: 2011-06-22,
作者:
童小东
;
梁擎擎
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提交时间:2016/09/18
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