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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰 ; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者: 彭松昂; 金智; 王少青; 毛达诚; 史敬元
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| 集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法 专利
专利号: CN201610798788.4, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2017-02-01
作者: 王玮冰; 李超波; 陈大鹏; 明安杰; 刘卫兵
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26
作者: 唐兆云; 闫江; 唐波; 贾宬; 王大海
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210490480.5, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-06-04
作者: 殷华湘; 朱慧珑
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| 悬浮结构的MEMS红外光源及其制备方法 专利
专利号: CN201610797210.7, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2017-01-04
作者: 陈大鹏; 刘卫兵; 明安杰; 谭秋林; 任耀辉
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| 一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法 专利
专利号: CN201410008441.6, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-07-08
作者: 杨涛; 卢一泓; 张月; 崔虎山; 李俊峰
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| 一种平坦化的工艺方法 专利
专利号: CN201410217592.2, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2015-11-25
作者: 李俊峰; 赵超; 杨涛; 刘金彪
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310185048.X, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-11-26
作者: 闫江; 唐兆云; 唐波; 许静; 王红丽
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210240530.4, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-01-29
作者: 张珂珂; 尹海洲
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