一种平坦化的工艺方法

	一种平坦化的工艺方法
	李俊峰; 赵超; 杨涛; 刘金彪
	2018-06-01
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410217592.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种平坦化的工艺方法，包括步骤：填充材料层；获得片内材料层的厚度数据；根据抛光头压力区间的划分，获得片内各相应区间的材料层的平均厚度THKn；根据各区间的材料层的平均厚度THKn，调整抛光头各压力区间的压力值参数Pn，进行平坦化。本发明根据各区间填充的材料层的平均厚度来调整抛光头各压力区间的压力值参数，进而进行平坦化，以调整不同区间的移除速率，从而改善多晶栅平坦化工艺的均匀性，提高器件的性能。
公开日期	2015-11-25
申请日期	2014-05-21
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18789]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李俊峰,赵超,杨涛,等. 一种平坦化的工艺方法. CN201410217592.2. 2018-06-01.