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半导体研究所 [9]
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2015 [1]
2009 [1]
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2007 [1]
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学科主题:半导体物理
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AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
Z-型石墨烯纳米带在Si(001)表面吸附及掺杂的第一性原理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
李静
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2015/06/01
密度泛函理论+Z-型石墨烯纳米带+Si(001)表面+吸附+掺杂
InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫
期刊论文
发光学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 668-672
李文生
;
孙宝权
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
First-principle study of extrinsic defects in CuScO2 and CuYO2
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 21, 页码: 3759-3762
Fang, ZJ
;
Shi, LJ
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浏览/下载:62/7
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提交时间:2010/03/08
CuMO2
doping
VASP
显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217
作者:
谭平恒
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
Silicon doping induced increment of quantum dot density
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318
作者:
Duan RF
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
MBE
silicon
doping
density
InGaAs/GaAs
SAOD
INGAAS
ISLANDS
GAAS
p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
期刊论文
电子学报, 1997, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 90
作者:
江德生
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浏览/下载:110/10
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提交时间:2010/11/23
p型Si(1-x)Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算
期刊论文
电子科学学刊, 1996, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 638
作者:
江德生
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
硅基低维结构材料
期刊论文
红外与毫米波学报, 1994, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 1
夏建白
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
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