InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫

	InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫
	李文生 ; 孙宝权
刊名	发光学报
	2009
卷号	30 期号:5 页码:668-672
中文摘要	利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品.在5 K温度下,采用共聚焦显微镜系统,测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱, 研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间.它们的自旋翻转时间常数分别为: 本征激子的自旋翻转时间约16 ns, 正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2 ns, 负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50 ps.
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15687]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李文生,孙宝权. InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫[J]. 发光学报,2009,30(5):668-672.
APA	李文生,&孙宝权.(2009).InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫.发光学报,30(5),668-672.
MLA	李文生,et al."InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫".发光学报 30.5(2009):668-672.