p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算

	p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
	江德生
刊名	电子学报
	1997
卷号	25 期号:8 页码:90
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19395]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算[J]. 电子学报,1997,25(8):90.
APA	江德生.(1997).p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算.电子学报,25(8),90.
MLA	江德生."p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算".电子学报 25.8(1997):90.