p型Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算

	p型Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算
	江德生
刊名	电子科学学刊
	1996
卷号	18 期号:6 页码:638
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5961.pdf: 370516 bytes, checksum: bb6f21a47efa58053d82243108976f84 (MD5) Previous issue date: 1996; 中科院半导体所;西安交通大学电子工程系
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19723]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. p型Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算[J]. 电子科学学刊,1996,18(6):638.
APA	江德生.(1996).p型Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算.电子科学学刊,18(6),638.
MLA	江德生."p型Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算".电子科学学刊 18.6(1996):638.