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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2007 [1]
2005 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2002 [2]
1999 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Exciton localization due to isoelectronic substitution in ZnSTe
期刊论文
journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 402-404
Xu ZY
;
Yang XD
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ji Y
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
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提交时间:2010/03/29
PRESSURE
Recombination kinetics of Te isoelectronic centers in ZnSTe
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 5, 页码: art.no.052107
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
ZINC-SULFIDE
Photoluminescence of Te isoelectronic centers in ZnS : Te under hydrostatic pressure
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
;
Han, HX
;
Li, GH
;
Sou, IK
;
Ge, WK
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浏览/下载:102/22
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提交时间:2010/03/09
photoluminescence
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Photoluminescence from ZnS1-xTex alloys under hydrostatic pressure
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: art.no.085203
Fang ZL
;
Li GH
;
Liu NZ
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Ding K
;
Ge WK
;
Sou IK
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
ZNS-TE
ABSORPTION-EDGE
MIXED-CRYSTALS
ZINC-SULFIDE
THIN-FILMS
TRANSITION
EXCITONS
CENTERS
STRAINS
BAND
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in ZnS : Te
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3170-3172
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
HYDROSTATIC-PRESSURE
OPTICAL-ABSORPTION
BOUND EXCITONS
ZINC-SULFIDE
LUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
CRYSTALS
ALLOYS
Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1999, 卷号: 211, 期号: 1, 页码: 163-169
Liu NZ
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
ABSORPTION-EDGE
STRAINS
ZNS
Deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 9, 页码: 4412-4416
Lu LW
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Wang Y
;
Wang J
;
Ma ZH
;
Chen WS
;
Wong GKL
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/17
ALLOYS
ZNSTE
Sulfur forming an isoelectronic center in zinc telluride thin films
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 15, 页码: 10035-10039
Ge WK
;
Lam SB
;
Sou IK
;
Wang J
;
Wang Y
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM
ZNS-TE
GAAS
ZNTE
ALLOYS
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