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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [9]
会议论文 [2]
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2012 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [3]
2005 [1]
2002 [2]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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Simulation of proton transportation process in GaN
期刊论文
yuanzineng kexue jishu/atomic energy science and technology, 2012, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 648-651
Zhang, Ming-Lan
;
Zhang, Xiao-Qian
;
Yang, Rui-Xia
;
Di, Zhao-Ting
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/05/07
Influence of implantation energy on the characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films
期刊论文
materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 3-4, 页码: 451-453
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
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浏览/下载:254/68
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提交时间:2010/03/08
Diluted magnetic semiconductors (DMSs)
Implantation energy
Nonpolar a-plane GaN:Mn films
Room temperature
Kinetic Monte Carlo simulation of semiconductor quantum dot growth
会议论文
china international conference on nanoscience and technology (chinanano 2005), beijing, peoples r china, jun 09-11, 2005
Zhao C
;
Chen YH
;
Sun J
;
Lei W
;
Cui CX
;
Yu LK
;
Li K
;
Wang ZG
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浏览/下载:269/88
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo simulation
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
Monte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
kinetic effects
quantum dot
LAYER
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
作者:
Xu B
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浏览/下载:134/15
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo simulation
Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/04/11
quantum dot
molecular beam epitaxy
kinetic effects
Monte Carlo simulation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PERIODIC STRAIN
NUCLEATION
Quantum-dot growth simulation on periodic stress of substrate
期刊论文
journal of chemical physics, 2005, 卷号: 123, 期号: 9, 页码: art.no.094708
作者:
Xu B
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浏览/下载:149/46
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提交时间:2010/03/17
KINETIC MONTE-CARLO
A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:78/8
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提交时间:2010/08/12
computer simulation
crystal morphology
atomic force microscopy
nitrides
AIN BUFFER LAYER
SAPPHIRE
Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152
Lu DC
;
Duan SK
收藏
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浏览/下载:99/7
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提交时间:2010/08/12
computer simulation
molecular vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting quaternary alloys
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUATERNARY ALLOYS
PHASE EPITAXY
GAN
ALINGAN
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
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