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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [9]
成果 [1]
发表日期
2007 [1]
2002 [2]
2001 [1]
2000 [1]
1997 [1]
1996 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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80
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不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4955-4959
高宏玲
;
李东临
;
周文政
;
商丽燕
;
王宝强
;
朱战平
;
曾一平
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比
期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 23, 页码: 1761-1762
董宏伟
;
赵有文
;
焦景华
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/11/23
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:94/4
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提交时间:2010/08/12
crystal morphology
doping
surface structure
metalorgamc chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
FILMS
CATHODOLUMINESCENCE
热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响
期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 427
杨瑞霞
;
张富强
;
陈诺夫
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 44
作者:
陈良惠
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 682
张兴宏
;
杨玉芬
;
王占国
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 1996, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 133
作者:
牛智川
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/23
不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究
期刊论文
北京大学学报. 自然科学版, 1994, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 575
王德煌
;
王威礼
;
李桂棠
;
庄婉如
;
段树坤
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究
期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 98
杜全钢
;
钟战天
;
周小川
;
牟善明
;
徐贵昌
;
蒋健
;
段海龙
;
王昌衡
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/11/23
高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs
成果
院科技进步奖: 三等奖, 1986
林兰英
;
叶式中
;
何宏家
;
方兆强
;
曹福年
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/04/13
半绝缘GaAs
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